ルネサスエレクトロニクスは20日、演算用半導体とメモリーの通信を補助するインターフェース半導体を開発したと発表した。生成AI（人工知能）向けデータセンターなどの需要を見込む。既にサンプル出荷を始めており、2025年前半に量産する。
開発したのはデータ信号の処理に使うクロックドライバー「RRG50120」やデータバッファー「RRG51020」など。一時記憶に使うDRAMと合わせてサーバーに搭載する。AIの進化に伴いメモリーは高性能化している。DRAMの最新世代は前世代と比べデータを転送する速度が35%速い。周辺の半導体も高性能化が求められている。
ルネサスはメモリーは手掛けておらず、メモリー周辺に使う半導体を開発して生成AI需要の取り込みを狙う。
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